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      三星正推進3nm工藝二季度量產 若實現將先于臺積電量產

      作者:陳玲麗編譯時間:2022-05-07來源:電子產品世界收藏

      據國外媒體報道,在7nm和5nm制程工藝的量產時間上基本能跟上節奏的電子,在更先進的制程工藝上有望先于量產,有報道稱他們正推進在二季度量產。

      本文引用地址:http://www.51kbu.com/article/202205/433830.htm

      電子在二季度的展望中提到,他們的技術領先將通過首個大規模量產的全環繞柵極晶體管工藝進一步加強,他們也將擴大供應,確保獲得全球客戶新的訂單,包括美國和歐洲客戶的訂單。

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      外媒的報道顯示,電子方面已經宣布,他們早期級柵極全能(3GAE)工藝將在二季度量產。三星電子宣布的這一消息,也就意味著業界首個3nm制程工藝即將量產,將是首個采用全環繞柵極晶體管(GAA)的制程工藝。

      三星通過世界上首次大規模的GAA 3nm工藝,加強其技術領導地位。三星代工的3GAE工藝技術是該公司第一個使用GAA晶體管的工藝,三星官方稱之為多橋通道場效應晶體管(MBCFETs)。

      三星大約在三年前正式推出了其3GAE和3GAP節點。當該公司描述其使用3GAE技術生產256Mb GAAFET SRAM芯片時,它提出了一系列的要求。三星表示,該工藝將使性能提高30%,功耗降低50%,晶體管密度提高80%。不過,對三星來說,性能和功耗的實際組合將如何發揮,還有待觀察。

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      從理論上講,與目前使用的FinFET相比,GAAFET有許多優勢。在GAA晶體管中,通道是水平的,被柵極所包圍。GAA通道是利用外延和選擇性材料去除形成的,這使得設計者可以通過調整晶體管通道的寬度來精確地調整它們。通過更寬的通道獲得高性能,通過更窄的通道獲得低功率。這樣的精度大大降低了晶體管的漏電電流以及晶體管的性能變化,這意味著更快的投產時間、上市時間和提高產量。

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      另外,根據應用材料公司最近的一份報告,GAAFET有望減少20%-30%的電池面積。三星的3GAE,作為一種"早期"的3nm級制造技術,3GAE將主要被三星LSI(三星的芯片開發部門)和兩三個高級客戶使用??紤]到三星LSI和早期客戶傾向大批量制造芯片,預計3GAE技術將得到相當廣泛的使用,前提是這些產品的產量和性能達到預期。

      三星電子和是目前在推進3nm工藝量產的兩大晶圓代工商,但兩家公司在技術路線上并不相同,臺積電繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構。

      在3nm之前的多項制程工藝上,三星電子在量產時間方面雖略晚于臺積電,但基本能跟上臺積電的節奏,不過由于在良品率方面有較大差距,加之沒有蘋果的訂單,因而三星電子在全球晶圓代工市場的份額,遠不及臺積電。多家機構的數據顯示,臺積電近幾個季度在全球晶圓代工商市場的份額,超過了50%,遠高于其他廠商。

      在全球晶圓代工市場的份額與臺積電有較大差距的三星電子,對他們的3nm工藝也是寄予厚望。如果他們的3nm工藝能在二季度量產,就將先于臺積電量產。在4月14日的一季度財報分析師電話會議上,臺積電CEO魏哲家再次表示,他們的3nm工藝量產計劃不變,正按計劃推進在下半年量產。

      然而,盡管三星和臺積電在先進制程上爭的“你死我活”,但一個不可否認的事實是,3nm等更先進制程的用戶將越來越少,原因就是成本越來越高,性價比逐步降低,部分領域也用不到3nm等制程。

      美國喬治敦大學沃爾什外交學院安全與新興技術中心(CSET)發布的信息顯示,臺積電一片采用3nm制程的12英寸晶圓,代工制造費用約為3萬美元,大約是5nm的1.75倍。在裸片(die)面積不變(即升級架構,不增加晶體管數量)、良率不變的情況下,未來蘋果A17處理器如果采用3nm制程,成本將上漲到154美元/顆,成為iPhone第一成本部件,而5nm的A15處理器只是iPhone的第三大成本零部件。



      關鍵詞: 三星 3nm 臺積電

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